复合半导体带隙的测量-漫反射光谱带隙的测定

测定了CuInSe2、CuIn0.5Ga0.5Se2、CuGaSe2三种化合物半导体材料的能带隙。这些通常被用于基于复合半导体的太阳能电池的功能材料,然而,正如本文所示,这三种类型具有不同的带隙值。如本例所示,应用Tauc关系式可以利用漫反射光谱测定粉末样品中的带隙

内容类型:
应用程序消息
文档数:
A428
产品类型:
分子光谱学,紫外-可见分光光度计
关键词:
能源和化学品
语言:
英语
文件名称:
A428.pdf
文件大小:
1613 kb

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